MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVD5C464NT4G, VDSS 40 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 4 pines
- Código RS:
- 172-3367
- Referência do fabricante:
- NVD5C464NT4G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 172-3367
- Referência do fabricante:
- NVD5C464NT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | NVD5C464N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.25mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie NVD5C464N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.25mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.
700 V a TJ = 150 oC
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 259 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 1972 pF)
Menor pérdida de conmutación
Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)
Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC
Capacitancia optimizada
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Típ. RDS(on) = 23 mΩ
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