MOSFET sencillos, N-Canal ROHM AG096FPD3HRBTL, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
646-618
Referência do fabricante:
AG096FPD3HRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

AG096F

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

76W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de grado de automoción de ROHM tiene la certificación AEC-Q101. Ideal para sistemas de automoción. Estos MOSFET están 100 por ciento probados en avalancha.

Resistencia de conexión baja

Chapado sin Pd

Conforme a RoHS

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