MOSFET, N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 246-6896
- Referência do fabricante:
- DMTH10H015SK3-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 246-6896
- Referência do fabricante:
- DMTH10H015SK3-13
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- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.014Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.58mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Altura | 2.29mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.58mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.1mm | ||
Altura 2.29mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex es un MOSFET de modo de mejora de canal N, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado TO252. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Tiene un valor nominal de +175 °C y es ideal para entornos de alta temperatura ambiente. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Su bajo RDS(ON) ayuda a minimizar las pérdidas de potencia. Su bajo Qg ayuda a minimizar las pérdidas de conmutación
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