MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 252 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- Código RS:
- 185-8162
- Referência do fabricante:
- NVMYS1D3N04CTWG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-8162
- Referência do fabricante:
- NVMYS1D3N04CTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 252A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVMYS1D3N04C | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 75nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 134W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4.25 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 252A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVMYS1D3N04C | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 75nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 134W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4.25 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
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