MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 172-3321
- Referência do fabricante:
- NVTFS6H850NTAG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 172-3321
- Referência do fabricante:
- NVTFS6H850NTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NVTFS6H850N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NVTFS6H850N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.15mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 3.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja rDS(on)
Minimiza pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
NVMFD5C446NLWF − Opción de flanco sumergible
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicaciones
Driver de solenoide
Controlador de lado bajo / lado alto
Controladores de motor de automoción
Sistemas de frenado antibloqueo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS6H850NTAG, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 12 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 48 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 76 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, WDFN de 8 pines