MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 171-1952
- Referência do fabricante:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
11,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,128 € | 11,28 € |
| 50 - 90 | 1,072 € | 10,72 € |
| 100 - 240 | 0,964 € | 9,64 € |
| 250 - 490 | 0,867 € | 8,67 € |
| 500 + | 0,826 € | 8,26 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 171-1952
- Referência do fabricante:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC12DN20NS3 G | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.35 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC12DN20NS3 G | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.35 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los productos OptiMOS Infineon BSC12DN20NS3 G 200V son tecnologías de referencia líderes en rendimiento, perfectamente adecuadas para rectificación síncrona en sistemas 48V, convertidores dc-dc, fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) e inversores para accionamientos de motor dc.
Más alta eficacia
Máxima densidad de potencia
Consumo de espacio en placa más bajo
Requiere mínima conexión en paralelo de dispositivos
Mejora de costes del sistema
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 7 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 36 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 15.2 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC320N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 36 A, Mejora, TDSON de 8 pines
