MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC900N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 15.2 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 906-4400
- Referência do fabricante:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
14,12 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 18 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,412 € | 14,12 € |
| 50 - 90 | 1,343 € | 13,43 € |
| 100 - 240 | 1,286 € | 12,86 € |
| 250 - 490 | 1,229 € | 12,29 € |
| 500 + | 0,779 € | 7,79 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 906-4400
- Referência do fabricante:
- BSC900N20NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.35mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.35mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 15.2 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 7 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 36 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC500N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 24 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC320N20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 36 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11.3 A, Mejora, TDSON de 8 pines