MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 7 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
145-9478
Referência do fabricante:
BSC22DN20NS3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

225mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

34W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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