MOSFET, N-Canal Vishay SQ3460EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- Código RS:
- 170-8298
- Referência do fabricante:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 170-8298
- Referência do fabricante:
- SQ3460EV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 53mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Tensión directa Vf | 770mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.7mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Tensión directa Vf 770mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.7mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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