Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3460EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

Código RS:: 787-9468
Referência do fabricante:: SQ3460EV-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3460EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines

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Código RS:: 787-9468
Referência do fabricante:: SQ3460EV-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	TSOP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	53mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	9.3nC
	Tensión directa Vf	0.77V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.6W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1mm
	Longitud	3.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.7 mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado TSOP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 53mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.3nC
	Tensión directa Vf 0.77V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.6W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1mm
	Longitud 3.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.7 mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101