MOSFET, Canal N, Canal P-Canal Vishay SQ3583CEV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 4.7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
736-343
Referência do fabricante:
SQ3583CEV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N, Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

SQ3583CEV

Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.077Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.67W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
DE
El MOSFET doble de Vishay está diseñado para aplicaciones de alta fiabilidad. Este componente utiliza la tecnología TrenchFET para proporcionar una gestión de potencia eficiente en un encapsulado TSOP-6 compacto.

Calificado para uso en automoción según los estándares AEC-Q101

Se somete a pruebas 100 % Rg y UIS para garantizar un rendimiento robusto

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