MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PMV20XNER, VDSS 30 V, ID 7.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 170-5372P
- Referência do fabricante:
- PMV20XNER
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 170-5372P
- Referência do fabricante:
- PMV20XNER
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | PMV20XNE | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.94W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie PMV20XNE | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.94W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Los biestables son elementos de almacenamiento básicos en la electrónica digital. Puesto que solo permiten la salida para cambiar en una transición de borde, los biestables proporcionan una interfaz robusta entre sistemas asíncronos y síncronos. Con una elección de opciones de activación de borde positivo o negativo, proporcionan mayor flexibilidad de diseño.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Capacidad de disipación de potencia mejorada de 1200 mW
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 2 kV HBM
Aplicaciones de destino
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
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