MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 8.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 170-4851
- Referência do fabricante:
- PMV16XNR
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 170-4851
- Referência do fabricante:
- PMV16XNR
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | PMV16XN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.94W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie PMV16XN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.94W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Soluciones de conmutación para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simples y dobles hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.
Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada de 1200 mW
Aplicaciones de destino
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
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