MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS -20 V, ID -3.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
151-3017
Referência do fabricante:
PMV65XPEAR
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

6.25W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Altura

1.1mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción. La cartera de más grande del mundo de MOSFET de potencia con certificación AEC-Q101. Un profundo conocimiento de los requisitos de los sistemas de automoción y una gran capacidad técnica permite a Nexperia proporcionar soluciones de semiconductores de potencia en un amplio espectro de aplicaciones. Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.

Conforme a AEC-Q101

Índice de avalancha repetitiva

Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench

Conmutación muy rápida

Capacidad de disipación de potencia mejorada: Ptot = 890 mW

Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 2 kV HBM

Certificación AEC-Q101

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