MOSFET Nexperia PMV27UPEAR, VDSS -20 V, ID 5,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P. El complemento perfecto para su diseño cuando los canales N no son adecuados. Nuestro amplio catálogo de MOSFET también incluye muchas gamas de dispositivos de canal P, basadas en la tecnología Trench líder de Nexperia. Valor nominal de 12 V a 70 V y alojado en encapsulados de media y baja potencia, ofrecen nuestra familiar mezcla de alta eficiencia y alta fiabilidad.

MOSFET de zanja de canal P, 20 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal P en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET

Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada: Ptot = 980 mW
Protección contra descargas electrostáticas (ESD): 2 kV HBM
Certificación AEC-Q101
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado alto
Circuitos de conmutación