MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 55 V, ID 184 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
170-4884
Referência do fabricante:
BUK9Y19-55B,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

184A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

BUK9Y19

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Disipación de potencia máxima Pd

85W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.1 mm

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
PH
Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.

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Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado para usar en aplicaciones críticas de automoción.

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