MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 55 V, ID 184 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 170-4884
- Referência do fabricante:
- BUK9Y19-55B,115
- Fabricante:
- Nexperia
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- 170-4884
- Referência do fabricante:
- BUK9Y19-55B,115
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- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 184A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | BUK9Y19 | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 85W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 184A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie BUK9Y19 | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 85W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- PH
Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.
Adecuado para los entornos térmicos más exigentes gracias la temperatura nominal de 175 °C Aplicaciones de MOSFET de enfoque Gestión de motores de servodirección eléctrica Generador de motor de arranque integrado Control de transmisión Iluminación de automoción Frenos (ABS) Control de climatización
Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado para usar en aplicaciones críticas de automoción.
bajas pérdidas de conducción gracias a la resistencia de encendido baja. Adecuado para fuentes de accionamiento de puerta de nivel lógico. Adecuado para entornos térmicamente exigentes gracias al valor nominal de 175 °C, cargas de 12 V y 24 V. Sistemas de automoción. Conmutación de potencia de uso general. Motores, lámparas y solenoides
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