MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R2-55SLHAX, VDSS 55 V, ID 330 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-464
- Referência do fabricante:
- PSMN1R2-55SLHAX
- Fabricante:
- Nexperia
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- 219-464
- Referência do fabricante:
- PSMN1R2-55SLHAX
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- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 330A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | MOSFETs | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.03mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 8mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 330A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie MOSFETs | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.03mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 8mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de canal N Nexperia de la gama NextPowerS3, que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP, ofrece un rendimiento de alta eficiencia y bajo pico normalmente asociado a los MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada. NextPowerS3 está especialmente indicado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.
Clasificado para avalanchas y probado al 100
Conmutación ultrarrápida con recuperación de diodo de cuerpo blando para un bajo nivel de picos y zumbidos
VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el reparto de corriente
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