MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 16.7 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
170-4900
Referência do fabricante:
BUK9Y59-60E,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

LFPAK

Serie

BUK9Y59

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

133mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4.1 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
PH
Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.

Adecuado para los entornos térmicos más exigentes gracias la temperatura nominal de 175 °C Aplicaciones de MOSFET de enfoque Gestión de motores de servodirección eléctrica Generador de motor de arranque integrado Control de transmisión Iluminación de automoción Frenos (ABS) Control de climatización

MOSFET de canal N de nivel de lógica en un encapsulado LFPAK56 (potencia SO8) usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado para usar en aplicaciones de automoción de altas prestaciones.

Índice de avalancha repetitiva

Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

Puerta de nivel lógico real con calificación VGS(th) de más de 0,5 V a 175 °C

Sistemas de automoción de 12 V

Control de solenoides, motores y lámparas

Control de transmisión

Conmutación de potencia de ultra alto rendimiento

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