MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 100 V, ID 1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 152-7155
- Referência do fabricante:
- PMV280ENEAR
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 152-7155
- Referência do fabricante:
- PMV280ENEAR
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 892mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 892mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N de 75 V - 200 V, Acaba de acceder a una de las carteras de MOS estándar más avanzadas del mundo, ¿Busca MOSFET de alta fiabilidad en el rango de 75 V a 200 V que simplifiquen el diseño? Nuestros dispositivos son perfectos para aplicaciones de espacio y potencia críticos y proporcionan un excelente rendimiento de conmutación y área de funcionamiento seguro (SOA) líder de su clase. Por ejemplo, nuestra gama de MOSFET de potencia LFPAK ofrece RDSon ultra bajo, conmutación de alta velocidad y tensiones nominales de hasta 200 V.
MOSFET Trench de canal N, 100 V. Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.
Compatible con nivel lógico
Conmutación muy rápida
Tecnología MOSFET Trench
Protección contra descargas electrostáticas (ESD) > 2 kV HBM
Certificación AEC-Q101
Controlador de relé
Controlador de línea de alta velocidad
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación
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