MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 5.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
136-4806
Referência do fabricante:
PMV45EN2R
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-23

Serie

PMV45EN2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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