MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7341GTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble
- Código RS:
- 217-2603
- Referência do fabricante:
- IRF7341GTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2603
- Referência do fabricante:
- IRF7341GTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Mosfet de doble canal N | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Mosfet de doble canal N | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon HEXFET ® Power en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas ventajas se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones. El valor nominal de 175 °C para el encapsulado SO-8 proporciona un rendimiento térmico mejorado con un área de funcionamiento segura aumentada y capacidad de matriz MOSFET doble lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Este SO-8 de montaje en superficie doble puede reducir drásticamente el espacio de la placa y también está disponible en cinta y carrete.
Tecnología de procesos avanzados
MOSFET doble de canal N
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo
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