MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 5 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
168-7300
Referência do fabricante:
STS5NF60L
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.65mm

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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