MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-6548
- Referência do fabricante:
- STB13N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1 120,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,12 € | 1 120,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-6548
- Referência do fabricante:
- STB13N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 380mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 380mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB13N60M2, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB42N65M5, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines