MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
168-5985
Referência do fabricante:
IRFH5006TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6mm

Altura

0.85mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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