MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT015N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 300 A, Mejora, HSOF de 9 pines
- Código RS:
- 171-1991
- Referência do fabricante:
- IPT015N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 171-1991
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- IPT015N10N5ATMA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | IPT015N10N5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 169nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.58 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie IPT015N10N5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 169nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.58 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon
El MOSFET de canal N de montaje en superficie Infineon HSOF-8 es un producto de nueva era con una resistencia de fuente de drenaje de 1,5mohm A con una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una corriente de drenaje continua de 300A A. Tiene una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V y una tensión de fuente de drenaje de 100V V. Tiene una disipación de potencia máxima de 375W mW. El MOSFET tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 6V V y 10V V respectivamente. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• 100 % a prueba de avalancha
• Excelente carga de compuerta x producto RDS (ON) (FOM)
• Libre de halógenos
• Máxima eficiencia del sistema
• Ideal para alta frecuencia de conmutación
• Mayor densidad de potencia
• chapado sin plomo (Pb)
• Dissuperior de baja tensión
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• Optimizado para rectificación síncrona
• Reducción de capacitancia de salida de hasta el 44 %
• Reducción RDS (ON) de hasta el 44%
Resistencia de conexión RDS (ON) muy baja de •
Aplicaciones
• Adaptador
• Vehículos eléctricos ligeros
• Unidades de baja tensión
• Fuentes de alimentación del servidor
• Solar
• Telecomunicaciones
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC
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