MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 110 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines

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Código RS:
168-4726
Referência do fabricante:
IXFB110N60P3
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

PLUS264

Serie

HiperFET, Polar3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

56mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

245nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.89kW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

26.59mm

Anchura

5.31 mm

Longitud

20.29mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
US

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