MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 850 V, ID 90 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- Código RS:
- 146-4383
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-305
- Referência do fabricante:
- IXFB90N85X
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
20,77 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 20,77 € |
| 5 - 9 | 19,73 € |
| 10 + | 19,21 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 146-4383
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-305
- Referência do fabricante:
- IXFB90N85X
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.79kW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 340nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.29mm | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Altura | 26.59mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado PLUS264 | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.79kW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 340nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.29mm | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Altura 26.59mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.
Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFB90N85X, VDSS 850 V, ID 90 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 132 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 300 V, ID 210 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 600 V, ID 110 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFB210N30P3, VDSS 300 V, ID 210 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFB110N60P3, VDSS 600 V, ID 110 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFB132N50P3, VDSS 500 V, ID 132 A, Mejora, PLUS264 de 3 pines
- MOSFET IXYS, Tipo N-Canal IXFB82N60Q3, VDSS 600 V, ID 82 A, PLUS264, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple