MOSFET, N-Canal IXYS IXFT60N65X2HV, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora, TO-268 de 3 pines

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Código RS:
146-4235
Referência do fabricante:
IXFT60N65X2HV
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-268

Serie

HiperFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

52mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

780W

Tensión directa Vf

1.4V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.05mm

Anchura

15.15mm

Estándar de automoción

No

RDS (ON) y Qg bajas

Diodo de cuerpo rápido

Resistencia a dv/dt

Avalancha nominal

Baja inductancia de encapsulado

Encapsulados estándar internacionales

Fuentes de alimentación de modo resonante

Reactancia de lámpara de descarga de alta intensidad (HID)

Controladores de motor de ac y dc

Convertidores dc-dc

Robótica y control de servo

Cargadores de batería

Inversores solares de 3 niveles

Iluminación de LED

Vehículos aéreos no tripulados (UAV)

Mayor eficiencia

Alta densidad de potencia

Fácil de montar

Ahorro de espacio

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