MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFS5C420NT1G, VDSS 40 V, ID 268 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 221-6756
- Referência do fabricante:
- NVMFS5C420NT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6756
- Referência do fabricante:
- NVMFS5C420NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 268A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMFS5C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.3mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 268A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMFS5C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.3mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de alimentación de automoción DE on Semiconductor en un encapsulado de cable plano 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Está disponible para la inspección óptica mejorada. MOSFET con certificación AEC-Q101 y capacidad PPAP adecuada para aplicaciones de automoción.
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
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