MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 96 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

179,13 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 300 unidade(s) a partir do dia 12 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
30 +5,971 €179,13 €

*preço indicativo

Código RS:
168-4465
Referência do fabricante:
IXFH96N20P
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

96A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HiperFET, Polar

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

145nC

Disipación de potencia máxima Pd

600W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

21.46mm

Longitud

16.26mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™


MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.