MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH120N20P, VDSS 200 V, ID 120 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

14,11 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 17 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 414,11 €
5 - 1912,99 €
20 - 4912,30 €
50 - 999,47 €
100 +9,04 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
193-458
Número do artigo Distrelec:
302-53-308
Referência do fabricante:
IXFH120N20P
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HiperFET, Polar

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

714W

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

152nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

16.26mm

Altura

21.46mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™


MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados