MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH96N20P, VDSS 200 V, ID 96 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 193-442
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-340
- Referência do fabricante:
- IXFH96N20P
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
6,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 6,70 € |
| 5 - 19 | 6,42 € |
| 20 - 49 | 6,25 € |
| 50 - 99 | 6,10 € |
| 100 + | 5,93 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 193-442
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-340
- Referência do fabricante:
- IXFH96N20P
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 96A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 600W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.3 mm | |
| Altura | 21.46mm | |
| Longitud | 16.26mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 96A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 600W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.3 mm | ||
Altura 21.46mm | ||
Longitud 16.26mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 200 V, ID 96 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 150 V, ID 96 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH96N15P, VDSS 150 V, ID 96 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 12 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 250 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 150 V, ID 120 A, Mejora, TO-247 de 3 pines