MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 150 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 826-9945
- Referência do fabricante:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 500 unidades)*
47,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 500 + | 0,094 € | 47,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 826-9945
- Referência do fabricante:
- BSS84PWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | -1.12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 800μm | |
| Longitud | 2mm | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf -1.12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 800μm | ||
Longitud 2mm | ||
Anchura 1.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 150 mA - BSS84PWH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para aplicaciones compactas de montaje en superficie en contextos industriales y de automoción. Controla y conmuta corrientes pequeñas a tensiones moderadas al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 60 V permite una capacidad de conmutación de tensión moderada
• La corriente de drenaje continua de 150 mA admite circuitos de baja potencia
• La Rds máxima de 25 Ω reduce las pérdidas en la conmutación de carga ligera
• La disipación de potencia de 300 mW permite un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta de 20 V permite niveles de accionamiento de puerta flexibles
• La carga de puerta típica de 1 nC proporciona una conmutación rápida y de baja energía
• La corriente de drenaje continua de 150 mA admite circuitos de baja potencia
• La Rds máxima de 25 Ω reduce las pérdidas en la conmutación de carga ligera
• La disipación de potencia de 300 mW permite un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta de 20 V permite niveles de accionamiento de puerta flexibles
• La carga de puerta típica de 1 nC proporciona una conmutación rápida y de baja energía
Aplicaciones
• Apto para conmutación de carga en módulos de control de automoción
• Ideal para el cambio de nivel en circuitos de interfaz de sensor
• Se utiliza con gestión de baterías para vías de baja corriente
• Puede utilizarse para conmutación de protección en unidades telemáticas
• Adecuado para vías de alimentación de electrónica de consumo compactas
• Ideal para el cambio de nivel en circuitos de interfaz de sensor
• Se utiliza con gestión de baterías para vías de baja corriente
• Puede utilizarse para conmutación de protección en unidades telemáticas
• Adecuado para vías de alimentación de electrónica de consumo compactas
¿Qué rango ambiental puede tolerar en sistemas desplegados?
Funciona desde -55 °C hasta 150 °C, cubriendo condiciones prolongadas de arranque en frío y alta temperatura bajo la capota.
¿Qué encapsulado es adecuado para diseños de PCB de alta densidad?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie de tres contactos SC‐70 con un tamaño de 1,25 x 2 mm para una separación entre componentes estrecha.
¿Cómo afecta la carga de puerta a los requisitos de accionamiento?
Con un Qg típico de 1 nC, los controladores de baja corriente estándar pueden conmutarlo rápidamente con un consumo de energía mínimo.
¿Es compatible con los estándares de fiabilidad de automoción?
Cumple la certificación AEC-Q101 adecuada para muchos subsistemas electrónicos de vehículos.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS84PWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 150 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 310 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSS223PWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 310 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.4 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.4 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS214NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS214NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines