MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines

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Código RS:
826-9282
Referência do fabricante:
BSS138WH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

280mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIPMOS

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1nC

Tensión directa Vf

850mV

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

800μm

Longitud

2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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