MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB45N60DM6, VDSS 600 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 2 pines
- Código RS:
- 214-850
- Referência do fabricante:
- STB45N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 214-850
- Referência do fabricante:
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- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Longitud | 15.85mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Longitud 15.85mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la anterior generación rápida de MDmesh, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Robustez dv/dt muy alta
Protección Zener
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