MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR4615TRLPBF, VDSS 150 V, ID 33 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5867
- Referência do fabricante:
- IRFR4615TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
5,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1965 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,10 € | 5,50 € |
| 50 - 120 | 0,988 € | 4,94 € |
| 125 - 245 | 0,924 € | 4,62 € |
| 250 - 495 | 0,856 € | 4,28 € |
| 500 + | 0,55 € | 2,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-5867
- Referência do fabricante:
- IRFR4615TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 144W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 144W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon IR MOSFET de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con tamaños estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 33 A, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR6215TRLPBF, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR6215TRPBF, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 21 A, Mejora, TO-252 de 3 pines