Referência do fabricante

MOSFET, N-Canal Infineon IRFR4615TRLPBF, VDSS 150 V, ID 33 A, Mejora, TO-252

Código RS:: 257-5867
Referência do fabricante:: IRFR4615TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon IRFR4615TRLPBF, VDSS 150 V, ID 33 A, Mejora, TO-252

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

12,02 €

Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
5 - 45	2,404 €	12,02 €
50 - 120	2,162 €	10,81 €
125 - 245	2,024 €	10,12 €
250 - 495	1,88 €	9,40 €
500 +	1,204 €	6,02 €

*preço indicativo

Código RS:: 257-5867
Referência do fabricante:: IRFR4615TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	33A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	42mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	144W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	26nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 33A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 144W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 150 V, corriente de drenaje continua máxima de 33 A - IRFR4615TRLPBF

Este MOSFET es un transistor de modo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para montaje en PCB en funciones de conmutación de potencia. Maneja una corriente continua considerable mientras funciona en un amplio rango de temperatura ambiente y es adecuado donde se requiere accionamiento de puerta controlado y gestión térmica.

Características y ventajas:

• La Rds(on) de 42 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• 150 V Vds permite la conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 33 A admite cargas pesadas
• La disipación de potencia de 144 W permite un funcionamiento sostenido
• La carga de puerta de 26 nC permite una conmutación sensible

Aplicaciones

• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión
• Ideal para la conmutación de potencia en inversores
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor que requieren alta corriente
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de telecomunicaciones
• Apto para módulos de gestión de potencia industrial

¿Qué límites de accionamiento de puerta deben respetarse?

El valor nominal de puerta a fuente es de ±20 V, por lo que las amplitudes de accionamiento de puerta deben permanecer dentro de ese rango para evitar daños.

¿Cómo afecta el rendimiento térmico a las opciones de montaje?

Con un valor nominal de disipación de 144 W, se requieren áreas de cobre de PCB efectivas o disipación térmica para gestionar las temperaturas de unión durante la carga sostenida.

¿Qué temperaturas extremas puede tolerar el dispositivo?

Funciona en un rango de –55 a 175 °C, lo que permite su uso en entornos con gran variación térmica.

¿Este componente es adecuado para la certificación de automoción?

No está especificado como de grado automovilístico

la conformidad certificada es solo RoHS.