MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHP8N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 8.7 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
165-7113
Referência do fabricante:
SIHP8N50D-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

D Series

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.85Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.65mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.51mm

Altura

9.01mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, serie D de alta tensión, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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