MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 145-2681
- Referência do fabricante:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
393,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 02 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,131 € | 393,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 145-2681
- Referência do fabricante:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 790mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 790mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de montaje en superficie de canal P diseñado para conmutación de baja tensión en sistemas electrónicos compactos. Funciona como un dispositivo de modo de mejora y está diseñado para el control de potencia de nivel de placa donde se requiere un manejo de corriente modesto y un tamaño pequeño.
Características y ventajas:
• La calificación de drenaje de fuente de 20 V permite la implementación de sistemas de baja tensión • La corriente de drenaje continua de 1,1 A admite conmutación de potencia ligera • La baja Rds(on) de 790 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento • La carga de puerta típica de 2,6 nC permite transiciones de puerta más rápidas • La disipación de potencia de 1,25 W gestiona la carga térmica en conjuntos pequeños • El transistor aislado de dos elementos permite disposiciones de conmutación emparejadas
Aplicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la conmutación de carriles de alimentación en equipos portátiles • Ideal para conmutación de carga en módulos de control industrial • Se utiliza para la protección contra polaridad inversa en sistemas integrados • Se puede utilizar para cambiar el nivel de señal en circuitos de tensión mixta
¿Qué encapsulado debo planificar al diseñar la PCB?
El dispositivo se suministra en un encapsulado SMD SC‐88 de 6 contactos que ocupa un tamaño compacto adecuado para placas de alta densidad.
¿Cómo afecta la temperatura a los límites de funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que define los entornos ambientales y de unión admisibles para una conmutación fiable.
¿Se puede utilizar este componente en sistemas de automoción?
No está clasificado conforme a los estándares de automoción, por lo que la idoneidad debe evaluarse frente a los requisitos de certificación de vehículos antes de su uso.
¿Qué rango de tensión de puerta es admisible para las señales de control?
La unidad de puerta no debe exceder un límite de puerta a fuente de 8 V para evitar sobretensión del dispositivo.
¿Cuántos elementos de transistor hay en el chip y qué configuración tienen?
El chip contiene dos elementos aislados configurados para permitir disposiciones de conmutación independientes o emparejadas.
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 12 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado