MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 145-2681
- Referência do fabricante:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 145-2681
- Referência do fabricante:
- SI1967DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 790mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 790mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.35mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia serie TrenchFET de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,1 A - SI1967DH-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal P de montaje en superficie diseñado para funciones de conmutación de baja tensión y analógicas en conjuntos electrónicos compactos. Funciona como un dispositivo de modo de mejora y está diseñado para integrarse donde se requiere una configuración de transistor aislado y un manejo de corriente continua modesto. El componente se suministra en un encapsulado SC-88 pequeño adecuado para diseños densos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 20 V permite la conmutación de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 1,1 A admite cargas constantes
• La Rds(on) de 790 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 2,6 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La disipación de potencia de 1,25 W soporta el estrés térmico moderado
• La corriente de drenaje continua de 1,1 A admite cargas constantes
• La Rds(on) de 790 mΩ minimiza las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 2,6 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La disipación de potencia de 1,25 W soporta el estrés térmico moderado
Aplicaciones
• Apto para circuitos de protección de baterías en equipos portátiles
• Ideal para la conmutación de carga en módulos de potencia compactos
• Se utiliza con etapas de cambio de nivel en frontales analógicos
• Se puede utilizar para conmutación de doble canal en espacios reducidos de PCB
• Ideal para la conmutación de carga en módulos de potencia compactos
• Se utiliza con etapas de cambio de nivel en frontales analógicos
• Se puede utilizar para conmutación de doble canal en espacios reducidos de PCB
¿Qué estilo de montaje se requiere para el montaje?
Está diseñado para montaje en superficie en almohadillas de soldadura estándar compatibles con huellas SC-88.
¿Cuántos elementos de transistor activos contiene?
El dispositivo contiene dos elementos por chip, lo que permite un enrutamiento de doble función o complementario en los diseños.
¿Qué límites de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 8 V, que no debe superarse para evitar la tensión del dispositivo.
¿Qué rango de temperatura puede soportar durante su funcionamiento?
Está especificado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, adaptándose a una amplia gama de condiciones ambientales.
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo P-Canal SI1967DH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.1 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SI1922EDH-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA817EDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA437DJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 29.7 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, N-Canal SIA938DJT-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4.5 A, SC-70, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, N-Canal SI1034CX-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 0.5 A, SC-89, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo P-Canal SI1025X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 135 mA, SC-89-6, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI1553CDL-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 700 mA, SC-70-6, Mejora de 6 pines, 2, config.