MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8489EDB-T2-E1, VDSS 20 V, ID 4.3 A, Mejora, MICRO FOOT de 4 pines

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Código RS:
165-6345
Referência do fabricante:
SI8489EDB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

MICRO FOOT

Serie

Si8489EDB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.5nC

Tensión directa Vf

-0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-12V, +12V

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

268μm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1mm

Longitud

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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