MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 12 V, ID 4.3 A, Mejora, Micro de 3 pines

Código RS:: 919-4713
Referência do fabricante:: IRLML6401TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 12 V, ID 4.3 A, Mejora, Micro de 3 pines

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Código RS:: 919-4713
Referência do fabricante:: IRLML6401TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	Micro
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	50mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-8V, +8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	10nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.4mm
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Serie HEXFET
	Encapsulado Micro
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 50mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.4mm
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,3A, disipación de potencia máxima de 1,3W - IRLML6401TRPBF

Este MOSFET de canal P está diseñado para ser eficiente, por lo que es adecuado para aplicaciones que exigen una gestión eficaz de la potencia. Gracias a la tecnología HEXFET, ofrece una baja resistencia a la conexión, lo que reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento. Su robusto diseño le permite soportar altas temperaturas, por lo que es adecuado para entornos en los que el rendimiento es esencial.

Características y ventajas

• Procesamiento avanzado para una resistencia a la conexión muy baja

• Tensión máxima de la fuente de drenaje de 12 V

• Capacidad de corriente de drenaje continua de 4,3 A

• Tolerancia de la temperatura de unión hasta 150°C

• Optimizado para aplicaciones de conmutación rápida, mejora la eficiencia

• Encapsulado compacto SOT-23 para diseños de circuitos que ocupan poco espacio

Aplicaciones

• Sistemas de gestión de baterías y cargas

• Electrónica portátil que requiere componentes de bajo perfil

• Soluciones de gestión de energía en tarjetas PCMCIA

• Sistemas de automatización que requieren una conmutación fiable

• Circuitos electrónicos que necesitan un diseño compacto de montaje superficial

¿Cuál es el impacto de las altas temperaturas en el rendimiento?

Las temperaturas más altas pueden aumentar la resistencia a la conexión, reduciendo potencialmente la eficiencia. El dispositivo funciona con seguridad hasta 150 °C, manteniendo la funcionalidad en condiciones difíciles.

¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al funcionamiento?

La tensión umbral de puerta, entre 0,4 V y 0,95 V, indica la tensión mínima necesaria para activar el dispositivo. Mantenerse dentro de este margen garantiza una conmutación eficaz de la carga.

¿Este producto es adecuado para aplicaciones de conmutación rápida?

Sí, el MOSFET facilita las transiciones rápidas entre los estados de encendido y apagado, reduciendo la pérdida de energía y mejorando la capacidad de respuesta del circuito.

¿Qué precauciones deben tomarse durante la instalación?

Es aconsejable utilizar un disipador de calor adecuado cuando se trabaja cerca de la corriente máxima para evitar el sobrecalentamiento. Se recomiendan técnicas de soldadura adecuadas debido a su diseño de montaje en superficie.

¿Puede utilizarse este dispositivo para aplicaciones de alta potencia?

El dispositivo puede gestionar de forma continua 4,3A; sin embargo, es esencial evaluar los requisitos de potencia y gestión térmica de la aplicación específica para obtener un rendimiento óptimo.