Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8483DB-T2-E1, VDSS 12 V, ID 16 A, Mejora, MICRO FOOT de 6 pines

Código RS:: 180-7326
Referência do fabricante:: SI8483DB-T2-E1
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8483DB-T2-E1, VDSS 12 V, ID 16 A, Mejora, MICRO FOOT de 6 pines

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Código RS:: 180-7326
Referência do fabricante:: SI8483DB-T2-E1
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	16A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	MICRO FOOT
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	26mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	21nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	13W
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	10V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1mm
	Altura	590μm
	Longitud	1.5mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 16A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado MICRO FOOT
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 13W
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1mm
	Altura 590μm
	Longitud 1.5mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

El MOSFET de potencia de canal N doble TrenchFET serie Si8483DB de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 12 V. Se trata de una disipación de potencia máxima de 13 W y se utiliza principalmente en interruptor de carga en dispositivos portátiles.

Caída de tensión baja

Bajo consumo

Mayor duración de la batería

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI8483DB-T2-E1, VDSS 12 V, ID 16 A, Mejora, MICRO FOOT de 6 pines

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