MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5894
- Referência do fabricante:
- IRF540NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 33 A, disipación de potencia máxima de 130 W - IRF540NSTRLPBF
Este MOSFET de alta potencia está diseñado para ofrecer eficiencia y fiabilidad en una gran variedad de aplicaciones. Con una configuración de canal N, funciona en modo de mejora con una corriente de drenaje continua máxima de 33 A y una tensión de ruptura de 100 V. Su diseño de montaje en superficie permite una integración sencilla en placas de circuitos impresos, lo que aumenta su versatilidad en aplicaciones modernas.
Características y ventajas
• La baja Rds(on) de 44mΩ mejora la eficiencia del circuito
• Capacidad de disipación de potencia de 130 W para aplicaciones robustas
• La rápida velocidad de conmutación minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento
• Amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, adecuado para diversos entornos
• La construcción sin plomo cumple las normas medioambientales actuales
Aplicaciones
• Gestión de la energía en los sistemas de automatización
• Fuentes de alimentación de alta eficiencia para electrónica
• Control de motores en ingeniería eléctrica
• Sistemas de energías renovables para una conversión energética eficaz
¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima de este dispositivo?
La tensión puerta-fuente máxima es de ±20 V, lo que permite un funcionamiento seguro en circuitos típicos.
¿Cómo gestiona térmicamente este dispositivo?
Con una potencia máxima disipada de 130 W y una resistencia térmica de la unión a la carcasa de 1,15 °C/W, gestiona eficazmente el calor durante el funcionamiento.
¿Cuál es la carga de puerta típica a 10 V?
La carga típica de puerta a una tensión puerta-fuente de 10 V es de 71 nC, lo que garantiza tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones de conmutación.
¿Se puede montar este dispositivo en placas de circuito impreso estándar?
Sí, está diseñado en un encapsulado D2PAK, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de montaje en superficie en diseños de PCB estándar.
¿Cuál es el significado del modo de mejora en este MOSFET?
El modo de mejora permite un mayor control sobre el estado de conducción, proporcionando un rendimiento mejorado en aplicaciones de conmutación.
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