MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF540NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

9,40 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 140 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Mais 32.950 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +0,94 €9,40 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
831-2831
Número do artigo Distrelec:
304-44-447
Referência do fabricante:
IRF540NSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

33A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

71nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 33 A, disipación de potencia máxima de 130 W - IRF540NSTRLPBF


Este MOSFET de alta potencia está diseñado para ofrecer eficiencia y fiabilidad en una gran variedad de aplicaciones. Con una configuración de canal N, funciona en modo de mejora con una corriente de drenaje continua máxima de 33 A y una tensión de ruptura de 100 V. Su diseño de montaje en superficie permite una integración sencilla en placas de circuitos impresos, lo que aumenta su versatilidad en aplicaciones modernas.

Características y ventajas


• La baja Rds(on) de 44mΩ mejora la eficiencia del circuito

• Capacidad de disipación de potencia de 130 W para aplicaciones robustas

• La rápida velocidad de conmutación minimiza la pérdida de energía durante el funcionamiento

• Amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de -55 °C a +175 °C, adecuado para diversos entornos

• La construcción sin plomo cumple las normas medioambientales actuales

Aplicaciones


• Gestión de la energía en los sistemas de automatización

• Fuentes de alimentación de alta eficiencia para electrónica

• Control de motores en ingeniería eléctrica

• Sistemas de energías renovables para una conversión energética eficaz

¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima de este dispositivo?


La tensión puerta-fuente máxima es de ±20 V, lo que permite un funcionamiento seguro en circuitos típicos.

¿Cómo gestiona térmicamente este dispositivo?


Con una potencia máxima disipada de 130 W y una resistencia térmica de la unión a la carcasa de 1,15 °C/W, gestiona eficazmente el calor durante el funcionamiento.

¿Cuál es la carga de puerta típica a 10 V?


La carga típica de puerta a una tensión puerta-fuente de 10 V es de 71 nC, lo que garantiza tiempos de respuesta rápidos en aplicaciones de conmutación.

¿Se puede montar este dispositivo en placas de circuito impreso estándar?


Sí, está diseñado en un encapsulado D2PAK, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de montaje en superficie en diseños de PCB estándar.

¿Cuál es el significado del modo de mejora en este MOSFET?


El modo de mejora permite un mayor control sobre el estado de conducción, proporcionando un rendimiento mejorado en aplicaciones de conmutación.

Links relacionados