MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 4.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

435,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +0,174 €435,00 €

*preço indicativo

Código RS:
169-7498
Referência do fabricante:
DMN6070SSD-13
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

100mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

0.75V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.6nC

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Altura

1.5mm

Anchura

3.95 mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Longitud

4.95mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


Links relacionados