MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3710ZSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

14,28 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
A ser descontinuado
  • Mais 380 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
  • Última(s) 130 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de maio de 2026
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 +1,428 €14,28 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
162-3302
Referência do fabricante:
IRF3710ZSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IRF3710ZS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

82nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Valor nominal de dv/dt dinámico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin plomo

Links relacionados