MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF3710ZSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 162-3302
- Referência do fabricante:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
14,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
A ser descontinuado
- Mais 380 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
- Última(s) 130 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de maio de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,428 € | 14,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 162-3302
- Referência do fabricante:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IRF3710ZS | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IRF3710ZS | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Valor nominal de dv/dt dinámico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 160 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB180N10S403ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
