MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
162-3273
Referência do fabricante:
IRF3710ZSTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

IRF3710ZS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

82nC

Disipación de potencia máxima Pd

160W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzados

Resistencia de encendido ultrabaja

Valor nominal de dv/dt dinámico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin plomo

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