MOSFET Infineon IRF7805ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 16 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 162-3276
Referência do fabricante:: IRF7805ZTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7805ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 16 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Indisponível

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Código RS:: 162-3276
Referência do fabricante:: IRF7805ZTRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	16 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
	Serie	IRF7805Z
	Tipo de Encapsulado	SO-8
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8,7 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	2.25V
	Tensión de umbral de puerta mínima	1.35V
	Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
	Longitud	5mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	18 nC a 4,5 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	1.5mm
	Tensión de diodo directa	1V

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	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 16 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
	Serie IRF7805Z
	Tipo de Encapsulado SO-8
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 8,7 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 2.25V
	Tensión de umbral de puerta mínima 1.35V
	Disipación de Potencia Máxima 2,5 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
	Longitud 5mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 18 nC a 4,5 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 4mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 1.5mm
	Tensión de diodo directa 1V

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 16 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRF7805ZTRPBF

Este MOSFET de Infineon emplea la avanzada tecnología HEXFET, que proporciona un rendimiento optimizado para aplicaciones de alta eficiencia. Con su configuración de canal N, gestiona eficazmente altas corrientes de drenaje continuas manteniendo una baja resistencia de encendido, lo que lo hace adecuado para tareas que requieren una eficiencia eléctrica robusta. La capacidad de montaje en superficie y el compacto encapsulado SO-8 aumentan su versatilidad, especialmente para circuitos de convertidores CC-CC que alimentan dispositivos electrónicos modernos.

Características y ventajas

• Rds(on) bajos para minimizar la pérdida de energía
• Aumenta la eficiencia en aplicaciones de alta corriente
• Excelente rendimiento térmico hasta +150°C
• Capacidad de conmutación rápida para mejorar la respuesta del dispositivo
• Tensión puerta-fuente máxima de ±20 V

Aplicaciones

• Aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción
• Dispositivos y procesadores de comunicaciones móviles
• Sistemas de alimentación para dispositivos electrónicos
• Automatización y control en sistemas eléctricos

¿Cuál es la capacidad máxima de corriente de drenaje continua?

Puede manejar hasta 16 A, lo que permite un gran rendimiento en diversas aplicaciones.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar este MOSFET en los circuitos?

Su baja Rds(on) y alta eficiencia reducen las pérdidas generales de potencia, lo que permite una gestión eficaz de la energía.

¿Puede este MOSFET funcionar a altas temperaturas?

Sí, está clasificado para una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C, lo que garantiza su funcionalidad en diversas condiciones.

¿Cómo afecta la velocidad de conmutación a su rendimiento?

La capacidad de conmutación rápida mejora la respuesta del dispositivo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.