MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay 2N7002K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
787-9058
Referência do fabricante:
2N7002K-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia TrenchFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

2N7002K

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.4nC

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.35W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, JEDEC JS709A, RoHS

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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