MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SI2302DDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

444,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 - 30000,148 €444,00 €
6000 +0,14 €420,00 €

*preço indicativo

Código RS:
146-4437
Referência do fabricante:
SI2302DDS-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.075Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Disipación de potencia máxima Pd

0.71W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.4mm

Longitud

3.04mm

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

Libre de halógenos

MOSFET de potencia TrenchFET®

Probado 100 % Rg

APLICACIONES

Conmutación de carga para dispositivos portátiles

Convertidor dc/dc

Links relacionados