MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFN110N85X, VDSS 850 V, ID 110 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 146-4249
- Referência do fabricante:
- IXFN110N85X
- Fabricante:
- IXYS
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 425nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.17kW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 425nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.17kW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 38.23mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de alimentación de 850 V Ultra-Junction X-Class con diodos de cuerpo rápido constituyen una nueva gama de semiconductores de alimentación de IXYS Corporation. Estos resistentes dispositivos ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas del sector, lo que permite una densidad de potencia muy alta en aplicaciones de conversión de potencia de alta tensión. Desarrollados con el principio de compensación de carga y una tecnología de proceso patentada, los nuevos dispositivos de 850 V ofrecen las resistencias en funcionamiento más bajas (33 miliohmios en el encapsulado SOT-227 y 41 miliohmios en el PLUS264, por ejemplo), así como cargas de compuerta bajas y un rendimiento de dv/dt superior.
Niveles ultrabajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)
Diodo de cuerpo rápido
Resistencia a dv/dt
Avalancha nominal
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar internacionales
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